BSS127(2010) 查看數據表（PDF） - Infineon Technologies
零件编号
产品描述 (功能)
生产厂家
BSS127 Datasheet PDF : 9 Pages
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13 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=0.01 A pulsed
parameter: V DD
10
14 Drain-source breakdown voltage
V BR(DSS)=f(T j); I D=250 µA
700
9
680
8
660
7
640
6
120 V 300 V
480 V
620
5
600
4
580
3
560
2
540
1
520
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
Q gate [nC]
500
-60 -20
20
60 100
T j [°C]
BSS127
140 180
15 Gate charge waveforms
V GS
Qg
V g s(th)
Q g(th)
Q gs
Q sw
Q gd
Q gate
Rev. 1.47
page 7
2010-07-29
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