JCS4N60S 查看數據表（PDF） - Unspecified

零件编号

产品描述 (功能)

生产厂家

JCS4N60S

JCS4N60V/R/S/B/C/F, N-CHANNEL MOSFET

Unspecified 

JCS4N60V/R/S/B/C/F

电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS

开关特性 Switching Characteristics

延迟时间 Turn-On delay time

上升时间 Turn-On rise time

td(on)

tr

VDD=300V,ID=4A,RG=25Ω

（note 4，5）

- 20 50 ns

- 55 120 ns

延迟时间 Turn-Off delay time

td(off)

- 70 150 ns

下降时间 Turn-Off Fall time

tf

- 55 120 ns

栅极电荷总量 Total Gate Charge Qg

VDS =480V ,

- 27 30 nC

栅－源电荷 Gate-Source charge Qgs

栅－漏电荷 Gate-Drain charge Qgd

ID=4A

- 3.6 - nC

VGS =10V （note 4，5） - 13.1 - nC

漏 － 源 二 极 管 特 性 及 最 大 额 定 值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum

Ratings

正向最大连续电流

Maximum Continuous Drain

-Source Diode Forward Current

IS

- -4 A

正向最大脉冲电流

Maximum Pulsed Drain-Source

Diode Forward Current

ISM

- - 16 A

正向压降

Drain-Source Diode Forward

VSD

VGS=0V, IS=4.0A

Voltage

- - 1.4 V

反向恢复时间

Reverse recovery time

trr

VGS=0V, IS=4.0A

- 330 - ns

反向恢复电荷

Reverse recovery charge

dIF/dt=100A/μs (note 4)

Qrr

- 2.67 - μC

热特性 THERMAL CHARACTERISTIC

项目

Parameter

最大

符号

单位

Max

Symbol

Unit

JCS4N60V/RJCS4N60S/B/C JCS4N60F

结到管壳的热阻

Thermal Resistance, Junction to Case

Rth(j-c)

2.50

1.25

3.79 ℃/W

结到环境的热阻

Rth(j-A)

83

Thermal Resistance, Junction to Ambient

62.5

62.5 ℃/W

注释：

1：脉冲宽度由最高结温限制

2：L=25mH, IAS=4.0A, VDD=50V, RG=25 Ω,起始结

温 TJ=25℃

3：ISD ≤4.0A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BVDSS,起始结温

TJ=25℃

4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％

5：基本与工作温度无关

Notes:

1：Pulse width limited by maximum junction

temperature

2 ： L=25mH, IAS=4.0A, VDD=50V, RG=25 Ω,Starting

TJ=25℃

3 ： ISD ≤4.0A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BVDSS, Starting

TJ=25℃

4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％

5：Essentially independent of operating temperature

版本：200911A

4/13

Share Link: