NS4205 查看數據表（PDF） - Unspecified
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NS4205 Datasheet PDF : 15 Pages
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9.2 NS4205 工作模式
NS4205 的工作模式通过管脚/SD 和/ MUTE 设置，如下表
NS4205
3W双声道D类音频功放
表4 NS4205 工作模式设置
/SD
/MUTE
工作模式
高
高 正常工作模式
高
低
待机状态
低
低/高 低功耗关断
桥式输出模式
芯片内部调制级的增益为 3。每个通道总增益为 Av= 240K/Ri.
输入电容 Ci 和输入电阻 Ri 选择
输入电容和输入电阻构成高通滤波器，截止频率为
f 3dB
1
2 RIN CI
。过大的输入电容，增加成
本、增加面积，这对于成本、面积紧张的应用来讲，非常不利。显然，确定使用多大的电容来完成耦合
很重要。实际上，在很多应用中，扬声器（Speaker）不能够再现低于 100Hz－150Hz 的低频语音，因此
采用大的电容并不能够改善系统的性能。除了考虑系统的性能，开关/切换噪声的抑制性能受电容的影
响，如果耦合电容大，则反馈网络的延迟大，导致 pop 噪声出现，因此，小的耦合电容可以减少该噪
声。
旁路电容 Cb 选择
Cb 决定 NS4205 静态工作点的稳定性，所以当开启有爆裂的输入信号时它的值非常关键。Cb 越大，
芯片的输出倾斜到静态直流电压（即 VDD/2）越慢，则开启的爆裂声越小。Cb 取 1uF 可得到一个“滴答
声”和“爆裂声”都较小的关断功能。
电源滤波电容选择
在放大器的应用中，电源的旁路设计很重要，特别是对应用方案的噪声性能及电源电 压抑制性
能。设计中要求滤波电容尽量靠近芯片电源脚。典型的电容为 100uF 的电解电容并上 0.1uF 的陶瓷电容。
低功耗关断功能
当/SD 管脚电平为低时，芯片处于关断低功耗状态。内部有上拉电阻，/SD 管脚可以悬空。
待机状态控制功能
当/SD 管脚电平为高，/MUTE 管脚电平为低时。芯片进入待机状态。内部有上拉电阻，/MUTE 管脚
可以悬空。
9.3 EMI增强技术
NS4205 内置 EMI 增强技术。 采用先进的技术，在全带宽范围内极大地降低了 EMI 干扰，最大限度
地减少对其他部件的影响。如下图所示。
Nsiway
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