Kennwerte (TA = 25 oC, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10% of Smax
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Kapazität, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance
Dunkelstrom
Dark current
VCE = 10 V, E = 0
SFH 3400
Symbol
Symbol
λS max
Wert
Value
850
Einheit
Unit
nm
λ
460 ... 1080 nm
A
LxB
LxW
H
ϕ
CCE
ICEO
0.55
mm2
1x1
mm x mm
0.2 ... 0.3 mm
± 60
Grad
deg.
15
pF
10 (≤ 200) nA
Semiconductor Group
3
1998-04-27