DatasheetQ Logo
Electronic component search and free download site. Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits

Q60215-Y66 查看數據表(PDF) - Siemens AG

零件编号
产品描述 (功能)
生产厂家
Q60215-Y66
Siemens
Siemens AG Siemens
Q60215-Y66 Datasheet PDF : 3 Pages
1 2 3
BPY 47 P
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Symbol
Symbol
Top; Tstg
VR
Wert
Value
– 55 ... + 100
Einheit
Unit
°C
1
V
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit, VR = 0 V
Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessungen der
bestrahlungsempfindlichen Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom, VR = 1 V; E = 0
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm
Spectral sensitivity
Quantenausbeute, λ = 850 nm
Quantum yield
Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix
Open-circuit voltage
Kurzschluβstrom, Ev = 1000 Ix
Short-circuit current
Symbol
Symbol
S
λS max
λ
A
L×B
L×W
ϕ
IR
Sl
η
VO
ISC
Wert
Value
1.4 (0.9)
Einheit
Unit
µA/Ix
850
nm
420 ... 1060 nm
190
mm2
9.58 × 19.58 mm
± 60
25 (400)
Grad
deg.
µA
0.51
A/W
0.73
450 (280)
Electrons
Photon
mV
1.4 (0.9)
mA
Semiconductor Group
188

Share Link: 

datasheetq.com  [ Privacy Policy ]Request Datasheet ] [ Contact Us ]