SFH314FA 查看數據表（PDF） - Infineon Technologies

零件编号

产品描述 (功能)

生产厂家

SFH314FA

Silicon NPN Phototransistor

Infineon Technologies 

SFH 314, SFH 314 FA

Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern

gekennzeichnet.

The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by

arabian figures.

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

-1

-2

-3

-4

Fotostrom, λ = 950 nm

Photocurrent

Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V

IPCE

0.63 … 1.25 1 … 2 1.6 … 3.2 ≥ 2.5

mA

SFH 314:

Ev = 1000 Ix, Normlicht/

standard light A, VCE = 5 V

IPCE

3.4

5.4

8.6

13.5

mA

Anstiegszeit/Abfallzeit

Rise and fall time

tr, tf

8

10

12

14

µs

IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ

Kollektor-Emitter-

Sättigungsspannung

VCEsat 150

150

150

150

mV

Collector-emitter saturation

voltage

IC

=

I 1)

PCEmin

×

0.3,

Ee = 0.5 mW/cm2

1) IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe.

1) IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group.

Directional Characteristics

Srel = f (ϕ)

40

30

20

10

0

ϕ

1.0

50

0.8

60

0.6

OHF02329

70

0.4

80

0.2

90

0

100

1.0 0.8 0.6

0.4

0

20 40 60 80 100 120

2001-02-22

4

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