LPT80A 查看數據表（PDF） - Infineon Technologies

零件编号

产品描述 (功能)

生产厂家

LPT80A

Silicon NPN Phototransistor

Infineon Technologies 

Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)

Characteristics

Bezeichnung

Parameter

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit

Wavelength of max. sensitivity

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S = 10% von Smax

Spectral range of sensitivity

S = 10% of Smax

Abmessung der Chip-Fläche

Dimensions of chip area

Halbwinkel

Half angle

Kapaziät, VCE = 5 V, f = 1 MHz, E = 0

Capacitance

Dunkelstrom, VCE = 5 V

Dark current

Fotostrom

Photocurrent

Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V,

λ = 950 nm

Ev = 1000 lx, Normlicht/standard light A, VCE = 5 V

Anstiegs- und Abfallzeit

Rise and fall time

RL = 1 kΩ, V = 5 V, λ = 950 nm, IC = 1 mA

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitter saturation voltage

IC = IPCE min × 0.8, Ee = 0.5 mW/cm2

Symbol

Symbol

λS max

λ

LxB

LxW

ϕ

CCE

IR

IPCE

IPCE

tr, tf

VCEsat

LPT 80 A

Wert

Value

850

Einheit

Unit

nm

430 … 1070 nm

0.55 × 0.55

± 35

3.3

3 (< 50)

> 0.25

3.2

10

mm × mm

Grad

deg.

pF

nA

mA

µs

150

mV

2001-02-22

3

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