KT819V 查看數據表（PDF） - Unspecified
零件编号
产品描述 (功能)
生产厂家
KT819V Datasheet PDF : 1 Pages
| |||
CИСТЕМА МЕНЕДЖМЕНТА КАЧЕСТВА ПРОЕКТИРОВАНИЯ, РАЗРАБОТКИ И ПРОИЗВОДСТВА ДИСКРЕТНЫХ ПОЛУПРО-
ВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ СООТВЕТСТВУЕТ ТРЕБОВАНИЯМ СТБ ИСО 9001-2001
КТ819А÷Г
NPN КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНО - ПЛАНАРНЫЙ
ТРАНЗИСТОР
аАО.336.189 ТУ / 02
Предназначен для применения в ключевых
и линейных схемах, узлах и блоках аппаратуры
широкого применения.
* Изготавливается в корпусе КТ-28-2 (ТО-220).
ПРЕДЕЛЬНО- ДОПУСТИМЫЕ РЕЖИМЫ ЭКСПЛУАТАЦИИ
1. Эмиттер
2. Коллектор
3. База
Параметры
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rэб ≤ 1 кОм
КТ819А
КТ819Б
КТ819В
КТ819Г
Напряжение эмиттер-база
Постоянный ток коллектора
Импульсный ток коллектора tи ≤ 10 мс, Q ≥ 100
Максимально допустимый постоянный ток базы
Импульсный ток базы tи ≤ 10 мс, Q ≥ 100
Рассеиваемая мощность при Ткорп. ≤ 25 °С
Диапазон рабочих температур среды -60 до 100o С
Обознач.
Uкэ max
Uэб max
Iк max
Iк и max
Iб max
Iб и max
Рк мах
Ед. измер.
В
В
А
А
А
А
Вт
Значе-
ние
40
50
70
100
5
10
15
3
5
60
ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ( Tокр.ср.=25°C )
Паpаметpы
Обозна- Ед. из- Режимы из- Min Max
чен
меp
меpения
Обратный ток коллектора
Iкбо
мA Uкб=40B
1
Статический коэффициент передачи тока
h21э
КТ819А, В
КТ819Б
КТ819Г
Uкб = 5 B, Iк=2A
15
20
12
Граничное напряжение
КТ819А
КТ819Б
КТ819В
КТ819Г
Uкэо гр
В Iэ =0.3 A,
25
tи= 270÷330 мкс 40
60
80
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Uкэ нас
В Iк=5A, Iб=0.5A
2
220108, г.Минск, ул. Корженевского, 16, УП "Завод ТРАНЗИСТОР"
Отдел маркетинга: тел./факс (10-37517) 212-59-32
E-mail: market@transistor.com.by http://www.transistor.by
Share Link: 