C120P06QE 查看數據表（PDF） - Nihon Inter Electronics
零件编号
产品描述 (功能)
生产厂家
C120P06QE Datasheet PDF : 6 Pages
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S B D T y p e : C120P06QE
構造
： ショトキバリアダイオード(S B D)
Construction: Schottky Barrier Diode
用途
：高周波整流用
Application : High Frequency Rectification
■OUTLINE DRAWING
■最大定格 / Maximum Ratings
Approx Net Weight:30g
Rating
くり返しピーク逆電圧
Repetitive Peak Reverse Voltage
非くり返しピーク逆電圧
Non‑repetitive Peak Reverse Voltage
平均整流電流
Average Rectified Output Current
実効順電流
RMS Forward Current
サージ順電流
Surge Forward Current
動作接合温度範囲
Operating JunctionTemperature Range
保存温度範囲
Storage Temperature Range
締付けトルク
Mounting torque
Symbol
C120P06QE
Unit
VRRM
60
V
VRSM
IO
IF(RMS)
IFSM
Tjw
65
V
50 Hz、正弦全波通電抵抗負荷
120 Tc=81℃ Full Sine Wave,
A
Resistive Load
133
A
700
50 Hz 正弦全波, 1サイクル, 非くり返し
Full Sine Wave,1cycle,Non‑repetitive
A
‑ 40 〜 + 150
℃
Tstg
‑ 40 〜 + 150
℃
アノード・カソード電極部推奨値=0.5
Ftor （Anode,Kathode Lead Recommended torque） N･m
カソードベース部推奨値=2.4
（Kathode Base Recommended torque）
■電気的・熱的特性 / Electrical ･ Thermal Characteristics
Characteristics
ピーク逆電流
Peak Reverse Current
ピーク順電圧
Peak Forward Voltage
熱抵抗(接合部・ケース間)
Thermal Resistance(Junction to Case)
Symbol
Conditions
IRM
Tj= 25 ℃, VRM= VRRM
per arm
VFM
Tj= 25 ℃, IFM= 60 A
per arm
Rth(j‑c) Junction to Case
Min. Typ. Max. Unit
‑
‑ 40 mA
‑
‑ 0.67 V
‑
‑ 0.45 ℃/W
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