F4-50R12MS4 查看數據表（PDF） - Infineon Technologies

零件编号

产品描述 (功能)

生产厂家

F4-50R12MS4

IGBT modules

Infineon Technologies 

TechnischeInformation/TechnicalInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

F4-50R12MS4

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)

switchinglossesDiode,Inverter(typical)

Erec=f(IF)

RGon=13Ω,VCE=600V

4,0

Erec, Tvj = 125°C

3,5

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)

switchinglossesDiode,Inverter(typical)

Erec=f(RG)

IF=50A,VCE=600V

4,0

Erec, Tvj = 125°C

3,5

3,0

3,0

2,5

2,5

2,0

2,0

1,5

1,5

1,0

1,0

0,5

0,5

0,0

0

10 20 30 40 50 60 70 80 90 100

IF [A]

0,0

0

10 20 30 40 50 60 70 80 90 100

RG [Ω]

TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter

transientthermalimpedanceDiode,Inverter

ZthJC=f(t)

NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)

NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)

R=f(T)

1

ZthJC : Diode

100000

Rtyp

10000

0,1

1000

0,01

0,001

0,01

preparedby:MK

approvedby:RO

i:

1

2

3

4

ri[K/W]: 0,042 0,231 0,224 0,203

τi[s]: 0,01 0,02 0,05 0,1

0,1

1

10

t [s]

100

0

dateofpublication:2013-10-03

revision:3.1

7

20 40 60 80 100 120 140 160

TC [°C]

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