3DD1557 查看數據表（PDF） - Jilin Sino-Microelectronics
零件编号
产品描述 (功能)
生产厂家
3DD1557 Datasheet PDF : 6 Pages
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D1557
电特性 (Tc=25℃)
项目
集电极—基极击穿电压
发射极—基极击穿电压
集电极—基极反向漏电流
发射极—基极反向漏电流
直流电流增益
集电极—发射极饱和压降
基极—发射极饱和压降
阻尼二极管正向压降
符号
V(BR)CBO
V(BR)EBO
ICBO
IEBO
hFE(1)
hFE(2)
VCE(sat)
VBE(sat)
-VF
下降时间
tf
贮存时间
ts
特征频率
fT
测试条件
IC=1mA, IE=0
IE=400mA, IC=0
VCB=1500V, IE=0
VEB=5V, IC=0
VCE=5V, IC=1A
VCE=5V, IC=5A
IC=5.5A, IB=1.38A
IC=5.5A, IB=1.38A
IF=5.5A
IC=5.5A,2IB1=-IB2=2.4A
fH=15.75KHz
IC=5.5A,2IB1=-IB2=2.4A
fH=15.75KHz
VCE=10V, IC=0.1A
最小值
1500
6
-
66
8
5
-
-
-
最大值
-
-
1
200
28
-
1
1
2
单位
V
V
mA
mA
V
V
V
-
0.8 μS
-
8
μS
1
-
MHz
版本:604A
2/6
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