Q65110A2465(2009) 查看數據表（PDF） - OSRAM GmbH

零件编号

产品描述 (功能)

生产厂家

Q65110A2465
(Rev.:2009)

High Power Infrared Emitter (850 nm)

OSRAM GmbH 

Kennwerte (TA = 25 °C)

Characteristics (cont’d)

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Symbol

Abmessungen der aktiven Chipfläche

Dimension of the active chip area

L×B

L×W

Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90% tr, tf

auf 10%, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω

Switching times, Ιe from 10% to 90% and from

90% to 10%, IF = 100 mA, RL = 50 Ω

Durchlassspannung

Forward voltage

IF = 100 mA, tp = 20 ms

VF

IF = 1 A, tp = 100 µs

VF

Sperrstrom

IR

Reverse current

Gesamtstrahlungsfluss

Total radiant flux

IF = 100 mA, tp = 20 ms

Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,

IF = 100 mA

Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA

Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA

Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA

Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA

Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA

Φe typ

TCI

TCV

TCλ

SFH 4250

Wert

Value

0.3 × 0.3

12

Einheit

Unit

mm²

ns

1.5 (< 1.8)

V

2.4 (< 3.0)

V

not designed for μA

reverse

operation

45

mW

– 0.5

%/K

– 0.7

+ 0.3

mV/K

nm/K

2009-05-14

3

Share Link: