1N5400K(2005) 查看數據表（PDF） - Diotec Semiconductor Germany

零件编号

产品描述 (功能)

生产厂家

1N5400K
(Rev.:2005)

Si-Rectifiers

Diotec Semiconductor Germany  

Characteristics

Forward voltage – Durchlass-Spannung

Tj = 25°C

Leakage current – Sperrstrom

Tj = 25°C

Thermal resistance junction to ambient air

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

Thermal resistance junction to leads

Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschlussdraht

IF = 3 A

VR = VRRM

1N5400K ... 1N5408K

Kennwerte

VF

< 1.1 V

IR

< 10 µA

RthA

< 38 K/W 1)

RthL

< 13 K/W

120

[%]

100

80

60

40

20

IFAV

0

0 TA 50

100

150 [°C]

Rated forward current versus ambient temperature1)

Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)

102

[A]

Tj = 125°C

10

Tj = 25°C

1

10-1

IF

10-2

100a-(3a-1.1v)

0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8

Forward characteristics (typical values)

Durchlasskennlinien (typische Werte)

102

[A]

10

îF

1

1

10

102

[n] 103

Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz

Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz

1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

2

http://www.diotec.com/

© Diotec Semiconductor AG

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