2N2196(V2) 查看數據表（PDF） - New Jersey Semiconductor

零件编号

产品描述 (功能)

生产厂家

2N2196
(Rev.:V2)

NPN silicon transistors Epitaxial planar

New Jersey Semiconductor 

Caracteristiques generates a tCase=25°C

General characteristics

isaut indication* contnin>)

lUalaai

Caracteristiques statiques

Sntic chtrtettrittici

PuMttn

Faeamatat

Courant residuel coltecteur-base

Collactor-bIM cut-off currant

Courant residue! coliecteur-emetteur

Coltactor-amittar cut-off currant

Courant residuel emetteur-bss*

Emittar-basa cut-off currant

£S»^

IE -0

VCB=80V

VBE~1,6V

VCE=80V

lc -0

•.

'CBO

Mhk

fr

* 75 •A

'cex

'EBO

250

^

250 pA

Tension de claquage collecteur-imetteur

Collactor-am Ittar braakdown vofUf•

lc =16 mA

direct du courant

Static forward currant transfar ratio

Tension base-emetteur

Btta-amlttar voltag*

lc =200 mA

vCE-iov

lc =1A

VCg=15 V

lc =10mA

VCE-IOV

lc -200mA

VCE=10V

«c -1*

VCE-15 V

lc =200 mA

VCE=IO v

Tension de saturation collecteur-imetteur

Collactor-amlttar saturation voltaga

lc =200 mA

IB =40 mA

lc =200 mA

IB =10 mA

•impulsions t =300MS & < 21

Pulsfd

v

Caracteristiques dynamiques (pour petus

Dynamic chsractaristics {far smtll signals)

Rapport de transfert direct du courant

Forward current transfer ratio

lc =30 mA

VCE=30V

f = 1 kHz

lc =1mA

VCE=30V

f = 1 kHz

V(8RICER 60

30

10

is.

"21 E

35

2N 2197

2N 2196

2N 2197

2N 2196

2N 2197

75

20

v*

VBE

#

2N2196

30

2N2197

30

V

90

200

1,5

1,2

2

2

Share Link: