Electronic component search and free download site. Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits
English
한국어
日本語
русский
简体中文
español
零件编号
产品描述 (功能)
2SJ380 查看數據表(PDF) - Toshiba
零件编号
产品描述 (功能)
生产厂家
2SJ380
Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L2-π-MOSV)
Toshiba
2SJ380 Datasheet PDF : 6 Pages
1
2
3
4
5
6
−
5
Common source
Tc
=
25°C
Pulse test
−
4
−
10
−
3
−
2
I
D
– V
DS
−
4
−
8
−
6
−
3
−
2.5
−
1
VGS
= −
2 V
0
0
−
0.4
−
0.8
−
1.2
−
1.6
−
2.0
Drain-source voltage V
DS
(V)
−
10
Common source
VDS
= −
10 V
Pulse test
−
8
I
D
– V
GS
25
Tc
= −
55°C
100
−
6
−
4
−
2
0
0
−
1
−
2
−
3
−
4
−
5
−
6
Gate-source voltage V
GS
(V)
2SJ380
−
20
Common source
Tc
=
25°C
Pulse test
−
16
−
10
−
12
I
D
– V
DS
−
8
−
6
−
4
−
3.5
−
8
−
3
−
4
−
2.5
VGS
= −
2 V
0
0
−
2
−
4
−
6
−
8
−
10
Drain-source voltage V
DS
(V)
V
DS
– V
GS
−
3.2
Common source
Tc
=
25°C
Pulse test
−
2.4
−
1.6
−
0.8
0
0
ID
= −
8 A
−
4
−
2
−
4
−
8
−
12
−
16
−
20
Gate-source voltage V
GS
(V)
⎪
Y
fs
⎪
– I
D
30
Common source
VDS
= −
10 V
Pulse test
10
Tc
= −
55°C
25
5
100
3
1
−
0.3
−
1.0
−
3
−
10
−
20
Drain current I
D
(A)
R
DS (ON)
– I
D
2.0
Common source
Tc
=
25°C
1.0
Pulse test
0.5
0.3
VGS
= −
4 V
−
10
0.1
0.05
0.03
−
0.1
−
0.3
−
1.0
−
3
Drain current I
D
(A)
−
10
−
20
3
2009-09-29
Share Link:
datasheetq.com [
Privacy Policy
]
[
Request Datasheet
] [
Contact Us
]