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D13007MD 查看數據表(PDF) - Jilin Sino-Microelectronics

零件编号
产品描述 (功能)
生产厂家
D13007MD
Hwdz
Jilin Sino-Microelectronics Hwdz
D13007MD Datasheet PDF : 6 Pages
1 2 3 4 5 6
R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25)
3DD13007MD
项目
符号 数值 单位
Parameter
Symbol Value
Unit
集电极发射极直流电压 Collector- Emitter VoltageVBE=0VCES
700
V
集电极发射极直流电压 Collector- Emitter VoltageIB=0VCEO
发射极基极直流电压 Emitter-Base Voltage
VEBO
400
V
9
V
最大集电极直流电流
Collector CurrentDC
IC
8
A
最大集电极脉冲电流
Collector Currentpulse
ICP
16
A
最大基极直流电流
Base CurrentDC
IB
4
A
最大基极脉冲电流
Base Currentpulse
IBP
8
A
最大集电极耗散功率
Total Dissipation (TO-262/220C) PC
80
W
最高结温
Junction Temperature
Tj
150
贮存温度
Storage Temperature
Tstg
-55~+150
pulse电流宽度为小于5ms的非重复单脉冲。 Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle < 10%.
电特性 ElECTRICAL CHARACTERISTIC
项目
测试条件
最小值 典型值 最大值
Parameter
Tests conditions
Value(min) Value(typ) Value(max)
V(BR)CEO
V(BR)CBO
V(BR)EBO
ICBO
ICEO
IC=10mA,IB=0
IC=1mA,IB=0
IE=1mA,IC=0
VCB=700V, IE=0
VCE=400V,IB=0
400
-
-
700
-
-
9
-
-
-
-
100
-
-
50
IEBO
Hfe(1)
Hfe(2)
VEB=9V, IC=0
VCE =5V, IC=1A
VCE =5V, IC=5A
-
-
10
8
-
50
5
-
-
VCE(sat)(1)
VCE(sat)(2)
VBE(sat)
IC=5A,
IC=8A,
IC=5A,
IB=1A
IB=2A
IB=1A
-
-
1.8
-
-
2.5
-
-
2.0
tf
VCC=24V IC=5A,IB1=-IB2=1A
ts
-
-
0.7
-
-
4
fT
VCE=10V, IC=0.5A
4
-
-
单位
Unit
V
V
V
μA
μA
μA
V
V
V
μS
μS
MHz
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
Parameter
结到管壳的热阻 TO-262/220C
Thermal Resistance Junction Case TO-262/220C
符 号 最小值 最大值
Symbol Value(min) Value(max)
单位
Unit
Rth(j-c)
-
1.56
/W
版本:200912D
2/6

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