BA5901K 查看數據表（PDF） - ROHM Semiconductor
零件编号
产品描述 (功能)
生产厂家
BA5901K Datasheet PDF : 24 Pages
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光ディスク IC
BA5901K
Parameter
〔PWM電源駆動部〕
PSWシンク電流
HVCCレベルシフト電圧
Symbol
IPSW
VSHIF
HVCCリーク電流
IHLK
PWMアンプ伝達ゲイン
GPWM
〔DC / DCコンバータ部〕
〈エラーアンプ部〉
VSYS1端子
スレッショルド電圧
VSITH
EO端子出力電圧 H
VEOH
EO端子出力電圧 L
VEOL
〈ショートプロテクト部〉
SPRT端子電圧通常
VSPR
SPRT端子電流1、
EO＝H
ISPR1
SPRT端子電流2、
OFF＝L
ISPR2
SPRT端子電流3、
過電
ISPR3
SPRT端子
インピーダンス
RSPR
SPRT端子
スレッショルド電圧
VSPTH
過電圧保護検出電圧
VHVPR
〈トランジスタ駆動部〉
SW端子出力電圧1 H
VSW1H
SW端子出力電圧2 H
VSW2H
SW端子出力電圧2 L
VSW2L
SW端子発振周波数1
fSW1
SW端子発振周波数2
fSW2
SW端子発振周波数3
fSW3
SW端子最小パルス幅
起動時パルス
デューティ
自走時最大
デューティ
CLK同期時最大
デューティ
TSWMIN
DSW1
DSW2
DSW3
〈デッドタイム部〉
DEAD端子
インピーダンス
RDEAD
DEAD端子出力電圧
VDEAD
◎耐放射線設計はしておりません。
Min.
10
0.35
―
1/60
3.05
1.4
―
―
6
12
12
175
1.10
8.0
0.78
1.0
―
65
60
―
0.01
40
70
65
52
0.78
Typ.
13
0.45
0
1/50
3.20
1.6
―
0
10
20
20
220
1.20
8.4
0.98
1.50
0.3
80
70
88.2
―
50
80
75
65
0.88
Max. Unit
Conditions
Test circuit No.
17
0.55
5
1/40
mA
V
μA
1/kΩ
IN1＝2.1V
IN1＝1.8V，HVCC−OUT1F
HVCC＝9V，
VSYS1＝VSYS2＝BATT＝0V
IN1＝1.8V，HVCC＝1.2V〜1.4V
Fig.2 24
Fig.2 25
Fig.2 26
Fig.2 27
3.35
―
0.3
V
V EI＝0.7V，IO＝−100μA
V EI＝1.3V，IO＝100μA
Fig.1 28
Fig.1 29
Fig.1 30
0.1
16
32
32
265
1.30
9.0
V EI＝1.3V
μA EI＝0.7V
μA EI＝1.3V，OFF＝0V
μA EI＝1.3V，BATT＝9.5V
kΩ
V EI＝0.7V，CT＝0V
V BSEN端子電圧
Fig.1 31
Fig.1 32
Fig.1 33
Fig.1 34
Fig.1 35
Fig.1 36
Fig.1 37
1.13
―
0.45
95
82
―
0.6
60
90
85
BATT＝CT＝1.5V
V VSYS1＝VSYS2＝0V
IO＝−2mA，スタータ時
V
CT＝0V，IO＝−10mA
EI＝0.7V，SPRT＝0V
Fig.1 38
Fig.1 39
V
CT＝2V，IO＝10mA
Fig.1 40
kHz
CT＝470pF，
VSYS1＝VSYS2＝0V，スタータ時
Fig.3 41
kHz CT＝470pF，CLK＝0V
Fig.3 42
kHz CT＝470pF
Fig.3 43
μs CT＝470pF，EO＝0.5→0.7Vスイープ Fig.3 44
％ CT＝470pF，VSYS1＝VSYS2＝0V
Fig.3 45
％ EI＝0.7V，CT＝470pF，CLK＝0V
Fig.3 46
％ EI＝0.7V，CT＝470pF
Fig.3 47
78
kΩ
0.98
V
Fig.1 48
Fig.1 49
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