BC857AW(2011) 查看數據表（PDF） - Diotec Semiconductor Germany
零件编号
产品描述 (功能)
生产厂家
BC857AW
(Rev.:2011)
(Rev.:2011)
Diotec Semiconductor Germany
BC857AW Datasheet PDF : 2 Pages
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BC856W ... BC859W
BC856W ... BC859W
PNP
Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors
Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflächenmontage
Version 2011-07-11
Power dissipation – Verlustleistung
2±0.1
0.3
3
1±0.1
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Type
Code
1
2
1.3
Dimensions - Maße [mm]
1=B 2=E 3=C
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
PNP
200 mW
SOT-323
0.01 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
C open
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
- VCEO
- VCBO
- VEBO
Ptot
- IC
- ICM
- IBM
IEM
Tj
TS
Grenzwerte (TA = 25°C)
BC856W
BC857W
BC858W
BC859W
65 V
45 V
30 V
80 V
50 V
30 V
5V
200 mW 1)
100 mA
200 mA
200 mA
200 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
- VCE = 5 V, - IC = 10 µA
Group A
HFE
Group B
hFE
Group C
hFE
- VCE = 5 V, - IC = 2 mA
Group A
HFE
Group B
hFE
Group C
hFE
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung 2)
- IC = 10 mA, - IB = 0.5 mA
- IC = 100 mA, - IB = 5 mA
- VCEsat
- VCEsat
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
–
140
–
–
250
–
–
480
–
125
180
250
220
290
475
420
520
800
–
75 mV 300 mV
–
250 mV 650 mV
1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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