Q60215-Y1112 查看數據表（PDF） - Siemens AG

零件编号

产品描述 (功能)

生产厂家

Q60215-Y1112

Silicon NPN Phototransistor

Siemens AG 

BPY 62

Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen

Ziffern gekennzeichnet.

The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished

by arabian figures.

Bezeichnung

Description

Symbol

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

-2

-3

-4

-5

Fotostrom, λ = 950 nm

Photocurrent

Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V

Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light

A,

VCE = 5 V

Anstiegszeit/Abfallzeit

Rise and fall time

IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitter saturation voltage

IC

=

I 1)

PCEmin

×

0.3,

Ee = 0.5 mW/cm2

Stromverstärkung

Current gain

Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V

IPCE

IPCE

tr, tf

VCEsat

IPCE

IPCB

0.5 ... 1.0 0.8 ... 1.6 1.25 ... 2.5 ≥ 2.0 mA

3.0

4.6

7.2

11.4 mA

5

7

9

12 µs

150

150

160

180 mV

170

270

420

670

1) IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe

1) IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group

Semiconductor Group

241

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