BYV255V 查看數據表（PDF） - STMicroelectronics
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BYV255V Datasheet PDF : 5 Pages
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BYV255V
Fig.7 : Junction capacitance versus reverse
voltage applied (Typical values).
Fig.8 : Recovery charges versus dIF/dt.
C(pF)
800
750
700
650
600
550
500
1
F=1Mhz Tj=25oC
QRR(uC)
2
90%CONFIDENCE
IF=IF(av)
1
Tj=100 OC
0.5
VR(V)
10
0.2
100 200
0.1
10
20
dIF/dt(A/us)
50
100 200
500
Fig.9 : Peak reverse current versus dIF/dt.
Fig.10 : Dynamic parameters versus junction
temperature.
IRM(A)
50
90 %CON FI DENCE
IF=IF(av)
20 Tj=100 OC
10
5
2
1
10
20
dIF/dt(A/us)
50
100 200
1.50 QRR;IRM[Tj]/QRR;IRM[Tj=100 o C
TYPICAL VALUE S
1.25
1.00
0.75
0.50
IRM
QRR
0.25
0.00
500
0
Tj( oC)
25 50 75 100 125 150
4/5
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