D4SBN20 查看數據表（PDF） - Shindengen
零件编号
产品描述 (功能)
生产厂家
D4SBN20 Datasheet PDF : 2 Pages
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SBDブリッジダイオード シングルインライン型
SBD Bridge Diode
Single In-line Package
D4SBN20
200V 4A
特長
●薄型SIPパッケージ
●SBDブリッジ
●低VF・低IR
Feature
●Thin-SIP
●SBD Bridge
●Low VF・Low IR
■外形寸法図 OUTLINE DIMENSIONS
Package：3S
Unit : mm
Weight：3.9g（typ.）
品名
Type No.
管理番号（例）
Control No.
25±0.3
C3
ロット記号（例）
Date code
D4SBN 20 0264
4.6±0.2
3.6±0.2
＋ 〜 〜 − 1.25±0.2 +
① ②③ ④
1.9±0.2
1.0±0.1
〜 〜−
±0.2
1.7
7.5±0.2 7.5±0.2 7.5±0.2
①②③④
2.7±0.2
0.7±0.1
（製品上の表示については、捺印仕様をご確認ください）
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings（指定のない場合は Tc= 25℃／unless otherwise specified）
項目
Item
記号
条件
Symbol Conditions
品名
Type No.
D4SBN20
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
絶縁耐圧
Dielectric Strength
締め付けトルク
Mounting Torque
Tstg
Tj
VRM
IO
IFSM
Vdis
TOR
50Hz 正弦波，抵抗負荷
50Hz sine wave, Resistance load
フィン付き
With heatsink
フィンなし
Without heatsink
50Hz 正弦波，非繰り返し1サイクルせん頭値，Tj=25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj=25℃
一括端子・ケース間，AC１分間印加
Terminals to Case, AC 1 minute
（推奨値：0.5 N・m）
（Recommended torque : 0.5 N・m）
Tc=103℃
Ta=25℃
−55〜150
150
200
4.0
2.2
60
2.0
0.8
単位
Unit
℃
℃
V
A
A
kV
N・m
●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics（指定のない場合は Tc= 25℃／unless otherwise specified）
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
接合容量
Junction Capacitance
熱抵抗
Thermal Resistance
VF
IR
Cj
θjc
θjl
θja
IF =2A,
パルス測定，一素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
VR =200V,
パルス測定，一素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
f=1MHz, VR=10V,
一素子当たりの規格値
per diode
接合部・ケース間，フィン付き
junction to case, With heatsink
接合部・リード間
junction to lead
接合部・ 周囲間
junction to ambient
MAX 0.90
MAX 1.5
TYP 60
MAX 6.0
MAX 8.0
MAX 35
V
μA
pF
℃/W
142 （J 514-6）
www.shindengen.co.jp/product/semi/
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