D4SBN20 查看數據表（PDF） - Shindengen
零件编号
产品描述 (功能)
生产厂家
D4SBN20 Datasheet PDF : 2 Pages
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D4SBN20
■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
順方向特性
Forward Voltage
50
順電力損失曲線
Forward Power Dissipation
12
10
Tc=150℃（MAX）
Tc=150℃（TYP）
Tc=25℃（MAX）
Tc=25℃（TYP）
1
〔 Pulse measurement
per diode
0.1
0
1
2
3
4
5
Forward Voltage VF〔V〕
DC
10
D=0.8
0.5
8
SIN
0.3
0.2
6
0.1
0.05
4
Io
tp
2
T
Tj=150℃ D=tp/T
00
1
2
3
4
5
6
7
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
せん頭サージ順電流耐量
Peak Surge Forward Current Capability
80
60
40
sine wave
0
20
10ms 10ms
1cycle
〔 non-repetitive
Tj＝25℃
0
1
10
100
Number of Cycles
逆方向特性
Reverse Current
1000
Tc=150℃（TYP）
100
Tc=125℃（TYP）
10
Tc=100℃（TYP）
1
0.1
0.01 0
Tc=75℃（TYP）
Tc=50℃（TYP）
〔 Pulse measurement
per diode
50
100
150
200
Reverse Voltage VR〔V〕
逆電力損失曲線
Reverse Power Dissipation
0.8
0
0.7
tp
VR
T
0.6 Tj=150℃ D=tp/T
0.5
DC
D=0.05
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.3
0.2
SIN
0.8
0.1
00
50
100
150
200
Reverse Voltage VR〔V〕
接合容量
Junction Capacitance
200
100
50
〔 f=1MHz
Tc=25℃
TYP
per diode
20
10
0.1
1
10
100 200
Reverse Voltage VR〔V〕
ディレーティングカーブTaーIo 0
Io
Derating Curve TaーIo
0
VR
4
tp
T D=tp/T
DC
3
0.5
SIN
2 0.3
0.2
0.1
1 0.05
D=0.8
P.C.B
+〜〜−
on glass-epoxy substrate
Soldering land 5mmφ
〔 〕 VR＝VRM
00 20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient Temperature Ta〔℃〕
ディレーティングカーブTcーIo 0
Io
Derating Curve TcーIo
0
VR
8
tp
T
D=tp/T
DC
6 D=0.8
heatsink Tc-sensing point
Tc
0.5
4 SIN
0.3
0.2
2 0.1
0.05
〔 〕 VR＝VRM
00 20 40 60 80 100 120 140 160
Case Temperature Tc〔℃〕
・Sine waveは50Hzで測定しています。
・50Hz sine wave is used for measurements.
・半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。Typical は統計的な実力を表しています。
・Semiconductor products generally have characteristic variation. Typical is a statistical average
of the device’s ability.
www.shindengen.co.jp/product/semi/
（J 514-6） 143
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