DAN217WTL 查看數據表（PDF） - ROHM Semiconductor

零件编号

产品描述 (功能)

生产厂家

DAN217WTL

Switching Diode (High speed switching)

ROHM Semiconductor 

DAN217W

Switching Diode (High speed switching)

Data sheet

　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 ●Outline

VRM

80

V

　　　

　

IFM

Io

r IFSM

fo ●Features

High reliability

d Small mold type

High Speed switching

300

mA

100

mA

4000

mA

●Inner Circuit

　

　

　

　

　

　

　

　　　

nde s ●Application

e n High speed switching

m ig ●Structure

s Epitaxial planar

m e ●Absolute Maximum Ratings (Ta = 25ºC)

o D Parameter

Symbol

Reverse voltage

VR

c Repetitive peak reverse voltage

VRM

e Average rectified forward current

Io

w Forward current

IFM

R e Peak forward surge current

IFSM

Power dissipation *

　 　 　 PD

t N Junction temperature

Tj

Storage temperature

Tstg

o*2 elements total

N●Characteristics (Ta = 25ºC)

●Packaging Specifications

Packing

Embossed Tape

Reel Size(mm)

180

Taping Width(mm)

8

Basic Ordering Unit(pcs)

3000

Taping Code

TL

Marking

AW

Conditions

-

-

-

-

t=1μs

-

-

-

Limits

Unit

80

V

80

V

100

mA

300

mA

4000

mA

150

mW

150

℃

-55 ～ 150

℃

　　 Value per element

Parameter

Symbol

Conditions

Min. Typ. Max. Unit

Forward voltage

VF

IF=100mA

- - 1.2 V

Reverse current

IR

VR=70V

- - 0.1 μA

Capacitance between terminals *

Ct

VR=6.0V f=1.0MHz

- - 3.5 pF

Reverse recoverytime

trr

VR=6.0V IF=5.0mA RL=50Ω - - 4.0 ns

※Caution：static electricity

* Capacitance：b/w 1pin and 2pin

　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　　　　　　　　　　　　　　　

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　 2016/03/17_Rev.001

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