DIODE MODULE ダイオードモジュール
DF30NA80/160
UL; E76102(M)
DF30NA80/160 (SIP-Diode Module)
• Three Phase Rectifier Bridge
《Advantages》
• 三相全波整流㴗㳻㴁㱟㴠㴹㴏㴼㱟㵂
《特長》
2−φ3.30±0.20
47.10±0.50
39.80±0.30
(35.50)
Tc point
5.00±0.30
0.10(ザグリ部)
• SIP (Single In-line Package)
• Very Low Forward Voltage Drop
• High Surge Current Capability
• 㴎㵊㴇㵂 㳻㵊㵀㳻㵊 㴨㴚㴈㱟㴏
• 低㴁㵊電圧
• 高㴌㱟㴏電流特性
4−R1
(30.0)
+ 〜〜 〜 −
Tc point
A
• 2500V Isolation ratings
• RoHS directive compliance
《Applications》
• Welding and Plasma Cutting Machines
• Battery Chargers
• 絶縁耐圧2500V
• RoHS指令適合
《用途》
• 溶接機・切断機
• 充電器
1.00±0.20
7.62±0.30
(30.48)
(40.50)
(2.40)
bottom side
0.50±0.15
A(2:1)
(0.10)
3.10+−00..1200
(1.80)
(0.20)
• Power Supplies
• 各種電源装置
• Motor Controls
• 㴹㱟㴖㱟制御
(1.60)
3.10
+0.20
−0.10
• Home Appliance
• 家電品
+ 〜〜〜
−
Unit 単位:mm
PDF Trial ■Maximum Ratings 最大定格
Symbol
記号
Item
項 目
VRRM
VRSM
Repetitive Peak Reverse Voltage
定格ピーク繰返し逆電圧
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
定格ピーク非繰返し逆電圧
Symbol 記号
ID
IFSM
I2t
Tj
Tstg
Item 項 目
Output Current(D.C.)
直流出力電流
Surge Forward Current
サージ順電流
I2t
電流二乗時間積
Operating Junction Temperature
接合部温度
Storage Temperature
保存温度
(Unless otherwise Tj=25℃ / 特にことわらない限り Tj=25℃)
Ratings 定格値
Unit
DF30NA80
DF30NA160
単位
800
1600
V
960
1700
V
Conditions 条 件
Three Phase full wave. TC=92℃
三相全波整流回路
50Hz/60Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value
50Hz/60Hz 正弦半波 非繰返し 1サイクル 波高値
Value for one cycle of surge current
1サイクルサージ順電流に対する値
Ratings 定格値
30
Unit 単位
A
365/400
A
660
A2s
−40〜+150
℃
−40〜+125
℃
VISO
Isolation Breakdown Voltage(R.M.S.) Terminals to case, AC 1minute
絶縁耐圧(実効値)
主端子ーケース間,AC 1分間
2500
V
Mounting Torque Mounting(M3) Recommended Torque
締付トルク強度
取付
推奨値
0.5N
0.8
N・m
(kgf・cm)
Mass
質量
Typical Value
標準値
15
g
■Electrical Characteristics 電気的特性
Symbol
記号
Item
項 目
IRRM
Repetitive Peak Reverse Current
逆電流
VFM
Forward Voltage Drop
順電圧降下
V(TO)
Threshold Voltage
閾値電圧
rt
Dynamic Resistance
オン抵抗
Rth(j-c)
Thermal Impedance
熱抵抗
Rth(c-f)
Interface Thermal Impedance
接触熱抵抗
(Unless otherwise Tj=25℃ / 特にことわらない限り Tj=25℃)
Conditions
条 件
Ratings 規格値
Unit
Min. Typ. Max. 単位
Tj=150℃,aVtRRVMRR印M加
4 mA
Tj=25℃,IFM=30A,
Inst. measurement
瞬時測定
1.2 V
Tj=150℃
0.85 V
Tj=150℃
Junction to case per one module
接合ーケース間
Case to Heat sink
Thermal conductivity(Silicon grease)≒7×10−[3 W/㎝・℃]
ケースーヒートシンク間
シリコングリースの熱伝導率≒7×10−[3 W/㎝・℃]
10.3 mΩ
0.8 ℃/W
0.13 ℃/W