KK90F160 查看數據表（PDF） - Unspecified
零件编号
产品描述 (功能)
生产厂家
KK90F160 Datasheet PDF : 2 Pages
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;;PK(PD,PE,KK)90F
Gate Characteristics
２
Peak Forward Gate Voltage（10V）
１０１
５
２
１００
５
125℃
25℃ −30℃
Average
PPoewaek（r G1a0tWe ）
Gate Powe（r 3W）
２
Maximum Gate Voltage that will not trigger any uni（t 0.25V）
１０−１
１０１ ２
５ １０２ ２
５ １０３ ２
５
Gate Curren（t mA）
On-State Voltage max
１０３
５
２
１０2
５
２
１０１
５
０
１
２
３
4
５
On-State Voltage（V）
Average On-State Current Vs Power Dissipation
（Single phase half wave）
２００
Per one element
D.C.
Average On-State Current Vs Maximum Allowable
Case Temperature（Single phase half wave）
１３０
１２０
Per one element
2
１５０
１００
θ＝180゜
θ＝120゜
θ＝90゜
θ＝60゜
θ＝30゜
2
１１０
１００
９０
８０
360。
: Conduction Angle
５０
360。
７０
: Conduction Angle
６０
θ＝30゜θ＝60゜θ＝90゜θ＝120゜θ＝180゜
D.C.
０
０ ２０ ４０ ６０ ８０ １００ １２０ １４０ １６０
Average On-State Curren（t A）
５０
０
２０ ４０ ６０ ８０ １００ １２０ １４０ １６０
Average On-State Curren（t A）
Surge On-State Current Rating
３０００
（Non-Repetitive）
Per one element
Ｔｊ=２５℃ start
２５００
Transient Thermal Impedance
０．５
Per one element
０．４
Junction to case
２０００
１５００
１０００
60Hz
50Hz
５００
０．３
０．２
０．１
０
１０0
２
５
１０１
２
Time（cycles）
５
１０2
０
１０−３
１０−２
１０−１
１００
１０１
１０２
１０３
１０４
Time t（sec）
Output Current
８００
Conduction Angle 180゜
W１；Bidirectional connection B２；Two Pluse bridge connection
Id（Ar.m.s.）
Id（Aav.）
B６；Six pulse bridge connection
Ｗ３；Three phase
bidiretional connection
９０
Id（Aav.）
６００
４００
２００
W3 B6
B2
W1
Rth:1.0℃/W
Rth:0.8℃/W
Rth:0.6℃/W
Rth:0.4℃/W
Rth:0.2℃/W
Rth:0.1℃/W
９０
１００
Rth:1.0℃/W
Rth:0.8℃/W
Rth:0.6℃/W
Rth:0.4℃/W
Rth:0.2℃/W
Rth:0.1℃/W
９０
１００
１１０
Id（Ar.m.s.）
Rth:1.0℃/W
Rth:0.8℃/W
Rth:0.6℃/W
Rth:0.4℃/W
Rth:0.2℃/W
Rth:0.1℃/W
１００
１１０
０
１００ ２００
０
１１０
１２０
１２５
４０
８０ １２０
０
１２０
１２５
４０
８０
１２０
０
Output Curren（t A） Ambient Temperature（℃）
Ambient Temperature（℃）
１２０
１２５
４０
８０
１２０
Ambient Temperature（℃）
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