PDMB400BS12C 查看數據表（PDF） - Nihon Inter Electronics
零件编号
产品描述 (功能)
生产厂家
PDMB400BS12C Datasheet PDF : 4 Pages
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ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｄｕａｌ
□ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ
(C2E1)
(E2)
1
2
7(G2)
6(E2)
(C1)
3
5(E1)
4(G1)
４００ Ａ，１２００Ｖ
QS043-402-20373（2/5）
ＰＤＭＢ４００ＢＳ１２
ＰＤＭＢ４００ＢＳ１2Ｃ
□ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
3-M6
110
93 ± 0.2 5
14 11 14 11 14
4-Ø6.5
3-M6
108
93 ± 0 .25
14 11 14 11 14
4-Ø 6.5
1
2
3
7
6
5
4
1
2
3
7
6
5
4
25
25
24
16 9 16 9 16
25
25
24
16 9 16 9 16
LABEL
LABEL
PDMB400BS12
PDMB400BS12C
Dimension:［mm］
□ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ
Ｓｙｍｂｏｌ
コレクタ・エミッタ間電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage
ＶＣＥＳ
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage
ＶＧＥＳ
コレクタ電流
Ｃollector Ｃurrent
コレクタ損失
Ｃollector Ｐower Ｄissipation
ＤＣ
１ｍｓ
ＩＣ
ＩＣＰ
ＰＣ
接合温度
Ｊunction Ｔemperature Ｒange
Ｔｊ
保存温度
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange
Ｔｓｔｇ
絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)
Ｉsolation Ｖoltage
ＶＩＳＯ
締 め 付 け ト ル ク Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink
Ｍounting Ｔorque
Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal
Ｆｔｏｒ
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ
１，２００
±２０
４００
８００
２，４００
－４０～＋１５０
－４０～＋１２５
２,５００
３（３０.６）
Ｕｎｉｔ
Ｖ
Ｖ
Ａ
Ｗ
℃
℃
Ｖ（ＲＭＳ）
Ｎ・ｍ
(kgf･cm)
□ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃）
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
コレクタ遮断電流
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent
ＩＣＥＳ
ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V
－
－
４.０
ｍＡ
ゲート漏れ電流
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent
ＩＧＥＳ
ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V
－
－
１.０
μＡ
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage
ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 400A,ＶＧＥ= 15V
－
２.３ ２.７
Ｖ
ゲ ー ト しきい値電圧
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage
ＶＧＥ（ｔｈ）
ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 400mA
４.０
－
８.０
Ｖ
入力容量
Ｉnput Ｃapacitance
Ｃｉｅｓ
ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ
－
25,200
－
ｐＦ
スイッチング時間
Ｓwitching Ｔime
上昇時間
ターンオン時間
下降時間
ターンオフ時間
Ｒise Ｔime
Ｔurn-on Ｔime
Ｆall Ｔime
Ｔurn-off Ｔime
ｔｒ
ｔｏｎ
ｔｆ
ｔｏｆｆ
ＶＣＣ= 600V
ＲL= 1.5Ω
ＲG= 3.9Ω
ＶＧＥ= ±15V
－
０.２５ ０.４５
－
０.４０ ０.７０
μｓ
－
０.２５ ０.３５
－
０.８０ １.１０
□フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃）
順
電
流
Ｆorward Ｃurrent
Ｉｔｅｍ
ＤＣ
１ｍｓ
Ｓｙｍｂｏｌ
ＩＦ
ＩＦＭ
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ
４００
８００
Ｕｎｉｔ
Ａ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
順
電
圧
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage
逆回復時間
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime
Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
ＶＦ
ｔｒｒ
ＩＦ= 400A,ＶＧＥ= 0V
ＩＦ= 400A,ＶＧＥ= -10V
ｄi/ｄt= 800A/μs
□ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
熱
抵
抗
ＩＧＢＴ
Ｔhermal Ｉmpedance
Ｄiode
Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
Ｒth(j-c) Junction to Case
日本インター株式会社
Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
－
２.２ ２.６
Ｖ
－
０.２ ０.３
μｓ
Ｍｉｎ.
－
－
Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
－ ０.０５２ ℃／Ｗ
－ ０．１０７
01
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