DatasheetQ Logo
Electronic component search and free download site. Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits

Q62702-P1634 查看數據表(PDF) - OSRAM GmbH

零件编号
产品描述 (功能)
生产厂家
Q62702-P1634
OSRAM
OSRAM GmbH OSRAM
Q62702-P1634 Datasheet PDF : 8 Pages
1 2 3 4 5 6 7 8
Kennwerte Fototransistor (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics Phototransistor
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10% of Smax
Bestrahlungsempfindliche Fläche (∅ 240 µm)
Radiant sensitive area (∅ 240 µm)
Abmessungen der Chipfläche
Dimensions of chip area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip surface to case surface
Halbwinkel
Half angle
Kapazität
Capacitance
VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Dunkelstrom
Dark current
VCE = 25 V, E = 0
Fotostrom
Photocurrent
Ee = 0.1 mW/cm2, VCE = 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise time/Fall time
IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 k
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
IC = 5 µA, Ee = 0.1 mW/cm2
Symbol
Symbol
λS max
λ
A
L×B
H
ϕ
CCE
ICEO
IPCE
tr, tf
VCEsat
SFH 331
Wert
Value
860
Einheit
Unit
nm
380 1150 nm
0.045
mm2
0.45 × 0.45 mm × mm
0.5 0.7
mm
± 60
5.0
Grad
deg.
pF
1 (200)
nA
16
µA
7
µs
150
mV
2001-02-22
4

Share Link: 

datasheetq.com  [ Privacy Policy ]Request Datasheet ] [ Contact Us ]