BP104S 查看數據表（PDF） - OSRAM GmbH

零件编号

产品描述 (功能)

生产厂家

BP104S

Photodiodes PHOTODIODE, SMT

OSRAM GmbH 

Version 1.0

Maximum Ratings (TA = 25 °C)

Grenzwerte

Parameter

Bezeichnung

Operating and storage temperature range

Betriebs- und Lagertemperatur

Reverse voltage

Sperrspannung

Total power dissipation

Verlustleistung

Characteristics (TA = 25 °C)

Kennwerte

Parameter

Bezeichnung

Photocurrent

Fotostrom

(Ev = 1000 lx, Std. Light A, VR = 5 V)

Wavelength of max. sensitivity

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit

Spectral range of sensitivity

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

Radiant sensitive area

Bestrahlungsempfindliche Fläche

Dimensions of radiant sensitive area

Abmessung der bestrahlungsempfindlichen

Fläche

Half angle

Halbwinkel

Dark current

Dunkelstrom

(VR = 10 V)

Spectral sensitivity of the chip

Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips

(λ = 850 nm)

Quantum yield of the chip

Quantenausbeute des Chips

(λ = 850 nm)

BP 104 S, BP 104 SR

Symbol

Symbol

Top; Tstg

VR

Ptot

Values

Werte

-40 ... 100

20

150

Unit

Einheit

°C

V

mW

Symbol

Symbol

IP

Values

Werte

55 (≥ 40)

Unit

Einheit

µA

λS max

λ10%

A

LxW

ϕ

IR

850

nm

400 ... 1100 nm

4.84

mm2

2.2 x 2.2

mm x

mm

± 60

°

2 (≤ 30)

nA

Sλ typ

0.62

A/W

η

0.90

Electro

ns

/Photon

2012-10-15

2

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