BPX38 查看數據表（PDF） - Siemens AG

零件编号

产品描述 (功能)

生产厂家

BPX38

Silicon NPN Phototransistor

Siemens AG 

BPX 38

Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)

Characteristics

Bezeichnung

Description

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit

Wavelength of max. sensitivity

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S = 10 % von Smax

Spectral range of sensitivity

S = 10 % of Smax

Bestrahlungsempfindliche Fläche

Radiant sensitive area

Abmessung der Chipfläche

Dimensions of chip area

Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-

fläche

Distance chip front to case surface

Halbwinkel

Half angle

Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode

Photocurrent of collector-base photodiode

Ee = 0.5 mW/cm2, VCB = 5 V

Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,

VCB = 5 V

Kapazität

Capacitance

VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0

VCB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0

VEB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0

Dunkelstrom

Dark current

VCE = 25 V, E = 0

Symbol

Symbol

λS max

λ

A

L×B

L×W

H

ϕ

IPCB

IPCB

CCE

CCB

CEB

ICEO

Wert

Value

880

Einheit

Unit

nm

450 ... 1120 nm

0.675

mm2

1×1

mm × mm

2.05 ... 2.35 mm

± 40

Grad

deg.

1.8

µA

5.5

µA

23

pF

39

pF

47

pF

20 (≤ 300)

nA

Semiconductor Group

219

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