SDB10S30(2001) 查看數據表（PDF） - Infineon Technologies

零件编号

产品描述 (功能)

生产厂家

SDB10S30
(Rev.:2001)

Silicon Carbide Schottky Diode

Infineon Technologies 

Preliminary data

9 Typ. capacitive charge vs. current slope

Qc=f(diF/dt)

parameter: Tj = 150 °C

22

nC

IF*2

IF

18

IF*0.5

16

14

12

10

8

6

4

2

1000 200 300 400 500 600 700 800 A/µs 1000

diF/dt

SDP10S30, SDB10S30

SDT10S30

Page 6

2001-12-04

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