BYV541V 查看數據表（PDF） - STMicroelectronics
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BYV541V Datasheet PDF : 5 Pages
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BYV54V / BYV541V
Fig.7 : Junction capacitance versus reverse
voltage applied (Typical values).
Fig.8 : Recovery charges versus dIF/dt.
C(pF)
420
400
380
360
340
320
300
280
260
240
1
F=1Mhz Tj=25oC
VR(V)
10
100 200
QRR(nC)
120
110 90%CONFIDENCE
1 00 IF=IF(av)
90
Tj=100 OC
80
70
60
50
Tj=25 OC
40
30
20
10
dIF/dt(A/us)
0
1
10
1 00
Fig.9 : Peak reverse current versus dIF/dt.
Fig.10 : Dynamic parameters versus junction
temperature.
IRM(A)
4.0
3.6 90%CONFIDENCE
IF=I F(av)
3.2
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.0
1
20
Tj=100 OC
Tj=25 OC
dIF/dt(A/us)
10
100
Q R R; IR M[ Tj]/QRR ; IR M[T j=12 5oC ]
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
IRM
QRR
0.25
0.00
0
Tj(oC)
25 50 75 100 125 150
4/5
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