KOM2125FA 查看數據表（PDF） - OSRAM GmbH

零件编号

产品描述 (功能)

生产厂家

KOM2125FA

2-Chip Silicon PIN Photodiode in SMT

OSRAM GmbH 

Grenzwerte

Maximum Ratings

Bezeichnung

Parameter

Betriebs- und Lagertemperatur

Operating and storage temperature range

Sperrspannung

Reverse voltage

Verlustleistung, TA = 25 °C

Total power dissipation

KOM 2125, KOM 2125 FA

Symbol

Symbol

Top; Tstg

VR

Ptot

Wert

Value

– 40 … + 80

Einheit

Unit

°C

60

V

150

mW

Kennwerte (TA = 25 °C)

Characteristics (TA = 25 °C)

Bezeichnung

Parameter

Fotostrom

Photocurrent

VR = 5 V, Normlicht/standard light A

T = 2856 K, Ev = 1000 Ix

VR = 5 V, λ = 870 nm,Ee = 1mW/cm2

Diode A

Diode B

Diode A

Diode B

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit

Wavelength of max. sensitivity

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S = 10% von Smax

Spectral range of sensitivity

S = 10% of Smax

Bestrahlungsempfindliche Fläche

Diode A

Radiant sensitive area

Diode B

Abmessung der

bestrahlungsempfindlichen Fläche Diode A

Dimensions of radiant sensitive area Diode B

Abstand Chipoberfläche zu Vergußoberfläche

Distance chip front to case seal

Halbwinkel

Half angle

Dunkelstrom, VR = 10 V

Dark current

Diode A

Diode B

Symbol

Symbol

Wert

Value

KOM 2125 KOM 2125 FA

Einheit

Unit

IP

40 (> 30)

–

µA

100 (> 75) –

IP

–

–

26 (> 20)

µA

70 (> 50)

λS max

850

900

nm

λ

400 … 1100 750 ... 1100 nm

A

4

10

L×B

L×W

H

2×2

2×5

0.3

ϕ

± 60

IR

5 (≤ 30)

10 (≤ 30)

4

10

2×2

2×5

0.3

± 60

5 (≤ 30)

10 (≤ 30)

mm2

mm × mm

mm × mm

mm

Grad

deg.

nA

2001-02-21

2

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