BR24E08F 查看數據表（PDF） - ROHM Semiconductor

零件编号

产品描述 (功能)

生产厂家

BR24E08F

I2C BUS compatible serial EEPROM

ROHM Semiconductor 

Memory Ics

BR24C08 / BR24C08F / BR24C08FJ / BR24C08FV / BR24C16/ BR24C16F /

BR24C16FJ / BR24C16FV / BR24E16 / BR24E16F / BR24E16FJ / BR24E16FV

zElectrical characteristics

DC characteristics (Unless otherwise noted, Ta=−40∼85°C, VCC=2.7∼5.5V)

Parameter

Symbol Min. Typ. Max. Unit

"HIGH" input voltage

VIH

0.7VCC

−

−

V

"LOW" input voltage

"LOW" output voltage

Input leakage current

Output leakage current

operating current

VIL

−

−

0.3VCC

V

VOL

−

−

0.4

V

ILI

−1

−

1

µA

ILO

−1

−

1

µA

ICC

−

−

3.0

mA

Standby current

ISB

−

−

3.0

µA

This product is not designed for protection against radioactive rays.

Conditions

−

−

IOL=3.0mA(SDA)

VIN=0V~VCC

VOUT=0V~VCC

VCC=5.5V, fSCL=400kHz

VCC=5.5V, SDA SCL=VCC

A0, A1, A2=GND, WP=GND

Operating timing characteristics (Unless otherwise noted, Ta=−40∼85°C, VCC=2.7∼5.5V)

Parameter

Vcc=5V±10%

Vcc=3V±10%

Symbol

Unit

Min. Typ. Max. Min. Typ. Max.

SCL frequency

fSCL

−

− 400 −

− 100 kHz

Dataclock "HIGH" time

tHIGH

0.6 −

− 4.0 −

−

µs

Dataclock "LOW" time

tLOW

1.2 −

− 4.7 −

−

µs

SDA / SCL rise time

tR

−

− 0.3 −

− 1.0

µs

SDA / SCL fall time

tF

−

− 0.3 −

− 0.3

µs

Start condition hold time

tHD : STA 0.6

−

− 4.0 −

−

µs

Start condition setup time

tSU : STA 0.6

−

− 4.7 −

−

µs

Input data hold time

tHD : DAT

0

−

−

0

−

−

ns

Input data setup time

tSU : DAT 100 −

− 250 −

−

ns

Output data delay time

tPD

0.1 − 0.9 0.2 − 3.5

µs

Output data hold time

tDH

0.1 −

− 0.2 −

−

µs

Stop condition setup time

tSU : STO 0.6

−

− 4.7 −

−

µs

Bus open time before start or transfer

tBUF

1.2 −

− 4.7 −

−

µs

Internal write cycle time

tWR

−

−

10

−

−

10

ms

Noise erase valid time (SDA/SCL pins)

tI

−

− 0.05 −

− 0.1

µs

Share Link: