DatasheetQ Logo
Electronic component search and free download site. Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits

Q62703-Q1669 查看數據表(PDF) - Siemens AG

零件编号
产品描述 (功能)
生产厂家
Q62703-Q1669
Siemens
Siemens AG Siemens
Q62703-Q1669 Datasheet PDF : 7 Pages
1 2 3 4 5 6 7
SFH 480,
SFH 481, SFH 482
Wesentliche Merkmale
q Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren
q Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden
verbunden
q Hohe Zuverlässigkeit
q Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
q Hermetisch dichtes Metallgehäuse
q SFH 480: Gehäusegleich mit SFH 216
q SFH 481: Gehäusegleich mit BPX 43,
BPY 63
q SFH 482: Gehäusegleich mit BPX 38,
BPX 65
Anwendungen
q Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q IR-Gerätefernsteuerungen
Features
q GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in
a liquid phase epitaxy process
q Anode is electrically connected to the case
q High reliability
q Matches all Si-Photodetectors
q Hermetically sealed package
q SFH 480: Same package as SFH 216
q SFH 481: Same package as BPX 43,
BPY 63
q SFH 482: Same package as BPX 38,
BPX 65
Applications
q Photointerrupters
q IR remote control of various equipmet
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
SFH 480-2
Q62703-Q1662
SFH 480-3
Q62703-Q1663
SFH 481
Q62703-Q1088
SFH 481-1
Q62703-Q1664
SFH 481-2
Q62703-Q1665
SFH 482
Q62703-Q1089
SFH 482-1
Q62703-Q1667
SFH 482-2
Q62703-Q1668
SFH 482-3
Q62703-Q1669
SFH 482-M E7800 Q62703-Q2186
Gehäuse
Package
18 A3 DIN 41876 (TO-18), Anschlüsse im 2.54-mm-
Raster (1/10’’), Kathodenkennzeichnung: Nase am Ge-
häuseboden
18 A3 DIN 41876 (TO-18), lead spacing 2.54 mm
(1/10’’), cathode marking: projection at package
Semiconductor Group
2
1998-04-16

Share Link: 

datasheetq.com  [ Privacy Policy ]Request Datasheet ] [ Contact Us ]