Q62703-Q1669 查看數據表（PDF） - Siemens AG
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产品描述 (功能)
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Q62703-Q1669 Datasheet PDF : 7 Pages
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SFH 480,
SFH 481, SFH 482
Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Grouping of radiant intensity Ie in axial direction
at a solid angle of Ω = 0.01 sr
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie min
Ie max
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 1 A, tp = 100 µs
Ie typ.
SFH
480-2
40
–
540
SFH
480-3
63
–
630
Wert
Value
SFH
481
SFH
481-1
10
10
–
20
220
130
SFH
481-2
16
–
220
Einheit
Unit
mW/sr
mW/sr
mW/sr
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
SFH
482
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie min
Ie max
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 1 A, tp = 100 µs
Ie typ.
3.15
–
–
SFH
482-1
Wert
Value
SFH
482-2
SFH
482-3
SFH
482-M
E 78001)
Einheit
Unit
3.15 5
8
6.3
10
–
1.6 ... 3.2 mW/sr
–
mW/sr
40
65
80
–
mW/sr
1) Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil
(Durchmesser der Lochblende: 2.0 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 5.4 mm). Dadurch wird
sichergestellt, daβ bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die
direkt von der Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung)
wird dagegen nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über
Zusatzoptiken störend (z.B. Lichtschranken groβer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen
diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende
Meβverfahren ergibt sich für den Anwender eine besser verwertbare Gröβe. Diese Lochblendenmessung ist
gekennzeichnet durch den Eintrag “E 7800”, der an die Typenbezeichnung angehängt ist.
1) An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle
(diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the
radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the
radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These
reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection
switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by
apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values.
This aperture measurement is denoted by “E 7800” added to the type designation.
Semiconductor Group
5
1998-04-16
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