SVF13N50PN 查看數據表（PDF） - Unspecified
零件编号
产品描述 (功能)
生产厂家
SVF13N50PN Datasheet PDF : 9 Pages
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东森微电子
SVF13N50T/F/PN 说明书
13A、500V N沟道增强型场效应管
描述
SVF13N50T/F/PN N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体
管采用SL电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电
阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换
器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。
特点
∗ 13A，500V，RDS(ON)(典型值)=0.44Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了 dv/dt 能力
命名规则
2
1
3
1.栅极 2.漏极 3.源极
TO-3PN
1
23
TO-220F-3L
12
3
TO-220-3L
产品规格分类
产品名称
SVF13N50T
SVF13N50F
SVF13N50PN
封装形式
TO-220-3L
TO-220F-3L
TO-3PN
打印名称
SVF13N50T
SVF13N50F
13N50
材料
无铅
无铅
无铅
包装形式
料管
料管
料管
昆山东森微电子有限公司
Http://www.ksmcu.com
版本号：11
2011.09.01
共9页 第1页
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