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零件编号
产品描述 (功能)
SVF13N50T 查看數據表(PDF) - Unspecified
零件编号
产品描述 (功能)
生产厂家
SVF13N50T
13A, 500V N-channel enhanced field effect transistor
Unspecified
SVF13N50T Datasheet PDF : 9 Pages
1
2
3
4
5
6
7
8
9
东森微电子
SVF13N50T/F/PN
说明书
13A
、
500V N
沟道增强型场效应管
描述
SVF13N50T/F/PN N
沟道增强型高压功率
MOS
场效应晶体
管采用
SL
电子的
F-Cell
TM
平面高压
VDMOS
工艺技术制造。
先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电
阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于
AC-DC
开关电源,
DC-DC
电源转换
器,高压
H
桥
PWM
马达驱动。
特点
∗
13A
,
500V
,
R
DS(ON)(
典型值
)
=0.44
Ω
@V
GS
=10V
∗
低栅极电荷量
∗
低反向传输电容
∗
开关速度快
∗
提升了
dv/dt
能力
命名规则
2
1
3
1.
栅极
2.
漏极
3.
源极
TO-3PN
1
23
TO-220F-3L
12
3
TO-220-3L
产品规格分类
产品名称
SVF13N50T
SVF13N50F
SVF13N50PN
封装形式
TO-220-3L
TO-220F-3L
TO-3PN
打印名称
SVF13N50T
SVF13N50F
13N50
材料
无铅
无铅
无铅
包装形式
料管
料管
料管
昆山东森微电子有限公司
Http://www.ksmcu.com
版本号:
11
2011.09.01
共
9
页 第
1
页
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