JCS4N60C 查看數據表（PDF） - Jilin Sino-Microelectronics

零件编号

产品描述 (功能)

生产厂家

JCS4N60C

JCS4N60, JCS4N60F / N-CHANNEL MOSFET

Jilin Sino-Microelectronics 

R

电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS

JCS4N60

项目

符号

测试条件

最小 典型最大单 位

Parameter

Symbol

Tests conditions

Min Typ Max Units

关态特性 Off –Characteristics

漏－源击穿电压

Drain-Source Voltage

BVDSS ID=250μA, VGS=0V

600 - - V

击穿电压温度特性

Breakdown Voltage Temperature

Coefficient

ΔBVDSS/Δ ID=250μA,

TJ

25℃

referenced

to

-

0.65

-

V/℃

零栅压下漏极漏电流

Zero Gate Voltage Drain Current IDSS

正向栅极体漏电流

VDS=600V,VGS=0V,

TC=25℃

VDS=480V, TC=125℃

- - 10 μA

- - 100 μA

Gate-body leakage current,

forward

IGSSF

VDS=0V, VGS =30V

- - 100 nA

反向栅极体漏电流

Gate-body leakage current,

reverse

IGSSR

VDS=0V, VGS =-30V

- - -100 nA

通态特性 On-Characteristics

阈值电压

Gate Threshold Voltage

VGS(th) VDS = VGS , ID=250μA

2.0 - 4.0 V

静态导通电阻

Static Drain-Source

On-Resistance

RDS(ON) VGS =10V , ID=2A

- 2.0 2.5 Ω

正向跨导

Forward Transconductance

gfs

动态特性 Dynamic Characteristics

VDS = 40V , ID=2A（note 4） - 4.7 - S

输入电容

Input capacitance

输出电容

Output capacitance

Ciss

Coss

VDS=25V,

VGS =0V,

f=1.0MHZ

- 710 920 pF

- 65 85 pF

反向传输电容

Reverse transfer capacitance

Crss

- 14 19 pF

版本：201201D

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