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LY9523 查看數據表(PDF) - Unspecified

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LY9523 Datasheet PDF : 8 Pages
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STGLSEMI
LY952X 设计准则
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迴授電路會依輸出負載大小反應在 FB(PIN 2), 以下是描述 FB(PIN 2)電壓與內部動作之關係:
FB(PIN 4)電壓為 3.6V 以上, PWM 是工作在 Duty Max 85%情況下.
FB(PIN 4)電壓為 1.95~1.15V 之間, PWM 是工作在降頻階段, 最低頻率不低於 20KHz (音頻範圍).
FB(PIN 4)電壓為 1.15V 以下, PWM 進入 Burst mode 階段, Burst 的簇群頻率是由外部條件而定.
請您務必注意 FB(PIN 4)Energy Star 測試條件時的波形, 因為此波形(Burst 的簇群頻率)之頻率越低, 則在輕載時
Switching loss 將會更低. 在調整 Burst 的簇群頻率之前, 必須先確定是否還有不必要的損耗: LED 的提升電阻
是否設計在 1.8mA? 使用高亮度 LED? R11, R15, R16 是否只太小? 其他參考電路是否消耗太大? 您可以調整 R12,
R13, R14, C12,IC3, Rise Time…等等, 並觀察 FB(PIN 4)波形, 以達到降低 Burst 的簇群頻率的效果.
如圖 Fig. 1-8 所示.
Figure 1-8. Dip Burst mode to reduce the switching loss of MOSFET
Drive:
24W adaptor 實際案例. LY9528 我們建議, R6 51---510 ohm 就能達到 EMI Radiation 與效率; 溫度雙贏的
效果. BiCMOS 40V 的製程, 使得 VDD(PIN 3) 不易因為安規 ABNORMAL TEST 被擊潰, 而且我們還有設計將内部
GATE 限制於 18V 以下, 以免操作於 24V , 將僅有 20V VGS 耐壓的 MOSFET 擊斃. 因此, 您可以放心的設計
VDD(PIN3) 高於 20V 情況操作. LY9258 中我们选用的是 VDS>=650V. VGS:+/-30V .
关于 VDD VDD-G 电阻:考虑到 EMI Radiation 與效率; 溫度雙贏的效果.我们建议如下:
LY9523 :100 ohm---1K ohm 范围.
LY9525 :100 ohm---1K ohm 范围.
LY9526 :100 ohm---820 ohm 范围.
LY9527 :51 ohm---510 ohm 范围.
LY9528 :51 ohm---510 ohm 范围.
Protection.
如前面所述, LY952X OVP UVLO 之外, 另有 OTP, OLP, SCP,等對策:
OTP 通过 IC 内部的 OTP 电路進入保護狀態.方式: Auto recovery 模式, IC 外围电路.环境溫度.INPUT 电压 LOAD
发生异常时造成 IC 溫度上升.溫度上升到 155 度左右时 IC 内部的 OTP 电路开始保护 IC 这时没有 PWM OUT.只有
温度下降到 125 度左右后才能再一次有 PWM OUT.
OLP LOAD 保護只有 Auto recovery 模式, 透過 FB(PIN 4) 電壓值與時間管理, 只要 FB(PIN 2) 超過 5.2V 並且持
68mS 的時間, 內部 OLP 電路將進入保狀態.
OCP 過電流保護 Auto recovery 模式: 透過占空比管理: 90V IN 占空比大.IN PUT 电压上升时占空比变小 IC
Sense 保护电压成比例下降.从而实现高低电压 IN OCP 保护点大概一致.
SCP 短路保護必須要靠 VDD(PIN 3) 低於 9V 來動作.
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2011/9/21

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