Electronic component search and free download site. Transistors,MosFET ,Diode,Integrated circuits
English
한국어
日本語
русский
简体中文
español
零件编号
产品描述 (功能)
CM2N60 查看數據表(PDF) - Unspecified
零件编号
产品描述 (功能)
生产厂家
CM2N60
POWER MOSFET / 600V N-Channel VDMOS
Unspecified
CM2N60 Datasheet PDF : 3 Pages
1
2
3
R
www.jdsemi.cn
深圳市晶导电子有限公司
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
CM2N60
POWER MOSFET
◆
600V N-Channel VDMOS
◆
使用及贮存时需防静电
◆
符合
RoHS
等环保指令要求
1.
主
要用途
主要用于充电器、LED 驱动、PC 辅助
电源等各类功率开关电路
2.主要特点
开关速度快
通态电阻小,输入电容小
3.封装外形
TO-220
4.电特性
4.1 极限值
除非另有规定,
T
amb
= 25
℃
参数名称
漏极
-
源极电压
连续漏极电流
漏极脉冲电流
栅极
-
源极电压
单脉冲雪崩能量
热阻(结到壳)
耗散功率
(Ta=25
℃
)
结温
贮存温度
4.2 电参数
除非另有规定,
T
amb
= 25
℃
参数名称
符号
漏源击穿电压
通态电阻
阈值电压
漏源漏电流
栅源漏电流
源漏二极管正向压降
BV
DSS
R
DSON*
V
GS
(
TH
)
I
DSS
I
GSS
V
SD*
关断延迟时间
t
d(off)
输入电容
C
iss
输出电容
C
oss
反向传输电容
C
rss
* 脉冲测试 :
t
P
≤
300us,
δ≤
2%
*
L=10mH
,
I
D
=2A
,
T
J
= 25
℃
1
栅极
(G) 2
漏极
(D) 3
源极
(S)
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
R
θ
JC
P
tot
T
j
T
stg
额定值
600
2.0
8.0
±
30
80
3.12
40
150
-55
~
150
单位
V
A
A
V
mJ
℃
/W
W
℃
℃
测试条件
V
GS
=0V
,
I
D
=250
μ
A
V
GS
=10V
,
I
D
=1A
V
DS
=V
GS
,
I
D
=250
μ
A
V
DS
=600V
,
V
GS
=0V
V
GS
= ± 30V
I
S
=2A
,
V
GS
=0V
V
DD
=300V
,
I
D
=2A
R
G
=18
Ω
,
V
GS
=10V
V
GS
=0V
,
V
DS
=25V
f=1.0MHZ
规范值
最小 典型 最大
600
3.4
4.0
2
4
25
±
100
1.5
单位
V
Ω
V
μ
A
nA
V
33
ns
280
pF
30
pF
4.5
pF
地址:深圳市宝安区新安街道留仙二路鸿辉工业园
3
号厂房 电话:
0755-29799516
传真:
0755-29799515
第
1
页
2013
版
Share Link:
datasheetq.com [
Privacy Policy
]
[
Request Datasheet
] [
Contact Us
]