Q62702-P102 查看數據表（PDF） - Siemens AG
零件编号
产品描述 (功能)
生产厂家
Q62702-P102 Datasheet PDF : 4 Pages
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Kennwerte (TA = 25 oC, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu
Gehäuseoberfläche
Distance chip surface to case surface
SFH 205
SFH 206
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom, VR = 10 V
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
Quantenausbeute
Quantum yield
Leerlaufspannung, Ee = 0.5 mW/cm2
Open-circuit voltage
Kurzschluβstrom, Ee = 0.5 mW/cm2
Short-circuit current
Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL= 50 Ω; VR = 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
Durchlaβspannung, IF = 100 mA, E = 0
Forward voltage
Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance
Temperaturkoeffizient von VL
Temperature coefficient of VL
Temperaturkoeffizient von IK,
Temperature coefficient of IK
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
VR = 10 V
Nachweisgrenze, VR = 10 V
Detection limit
Symbol
Symbol
LxB
LxW
H
H
ϕ
IR
Sλ
η
VL
IK
tr, tf
VF
C0
TCV
TCI
NEP
D*
SFH 205
SFH 206
Wert
Value
2.65 x 2.65
Einheit
Unit
mm
2.3 ... 2.5
1.2 ... 1.4
± 60
2 (≤ 30)
0.59
0.77
330 (≥ 250)
25
20
mm
mm
Grad
deg.
nA
A/W
Electrons
Photon
mV
µA
ns
1.3
72
–2.6
0.18
4.3 x 10–14
6.2 x 1012
V
pF
mV/K
%/K
W
√Hz
cm · √Hz
W
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