2SB631 查看數據表（PDF） - ON Semiconductor
零件编号
产品描述 (功能)
生产厂家
2SB631 Datasheet PDF : 4 Pages
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2SB631, 631K/2SD600, 600K
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Parameter
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Fall Time
Symbol
Conditions
hFE1
hFE2
VCE=(–)5V, IC=(–)50mA
VCE=(–)5V, IC=(–)500mA
fT
VCE=(–)10V, IC=(–)50mA
Cob
VCE(sat)
VBE(sat)
VCB=(–)10V, f=1MHz
IC=(–)500mA, IB=(–)50mA
IC=(–)500mA, IB=(–)50mA
tf
See specified Test Circuit
Turn-OFF Time
toff
See specified Test Circuit
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit
* : The 2SB631/2SD600 are classified by 50mA hFE as follows :
Rank
D
E
F
hFE
60 to 120 100 to 200 160 to 320
Ratings
min
typ
60*
20
(110)
130
(30)20
(–)0.15
(–)0.85
(80)
100
(100)
500
(600)
700
max
320*
(–)0.4
(–)1.2
Unit
MHz
MHz
pF
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Switching Time Test Circuit
IB1
1Ω
100Ω
IB2
24Ω
PW=20μs
1μF
1μF
VCE=12V
--2V
IC=10IB1= --10IB2=500mA
(For PNP, the polarity is reversed.)
+12V
IC -- VCE
--1.6
2SB631, 631K
--1.4
Tc=25°C
--1.2
--20mA
--15mA
--1.0
--12mA
--10mA
--0.8
--8mA
--0.6
--6mA
--4mA
--0.4
--2mA
--0.2
0
IB=0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V ITR08276
--1.4
2SB631, 631K
IC -- VBE
--1.2 VCE= --5V
IC -- VCE
1.6
2SD600, 600K
1.4
Tc=25°C
1.2
1.0
2011m52mAmAA
10mA
8mA
0.8
6mA
0.6
4mA
0.4
2mA
0.2
0
IB=0
0
1
2
3
4
5
6
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V ITR08277
1.4
2SD600, 600K
IC -- VBE
1.2 VCE=5V
--1.0
1.0
--0.8
0.8
--0.6
0.6
--0.4
0.4
--0.2
0
0
0.2
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
Base-to-Emitter Voltage, VBE – V ITR08278
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Base-to-Emitter Voltage, VBE – V ITR08279
Rev.0 I Page 2 of 4 I www.onsemi.com
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