RL251G(2017) 查看數據表（PDF） - HY ELECTRONIC CORP.
零件编号
产品描述 (功能)
生产厂家
RL251G Datasheet PDF : 3 Pages
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www.hygroup.com.tw
Glass Passivated Rectifiers
玻璃钝化整流器
Features 特征
● Low cost 低成本
● Low reverse leakage current 反向漏电流小
● Low forward voltage drop 正向压降低
● High surge capacity 耐浪涌能力高
● Meet UL flammability classification 94V-0 符合UL 94V-0阻燃等级
RL251G THRU RL257G
Reverse Voltage - 50 to 1000Volts
反向电压 50-1000V
Forward Current - 2.5 Amperes
正向电流 2.5A
R-3
Pb
RoHS
COMPLIANT
Mechanical Data 外观信息
● Case: JEDEC R-3 molded plastic 封装：R-3 塑封
● Polarity: Color band denotes cathode 极性：阴极色环标识
● Mounting position: Any 安装位置：不限
Applications 应用
● For use in low voltage, high frequency inverters,
polarity protection applications
应用于低压，高频变换器，极性保护
Package Outline Dimensions in Inches (Millimeters)
封装外观尺寸单位英寸（毫米）
Maximum Ratings and Electrical Characteristics 最大额定值及电气特性
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified. 环境温度25℃，除非特别说明。
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. 单相半波， 60Hz， 阻性或感性负载。
For capacitive load, derate current by 20%. 对于电容性负载，降低20%的额定电流。
Characteristics
特性
Symbol RL251G RL252G RL253G RL254G RL255G RL256G RL257G Unit
符号
单位
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
最大重复峰值反向电压
VRRM
50
100
200
400
600
800 1000
V
Maximum RMS Voltage 最大有效反向电压
VRMS
35
70
140
280
420
560
700
V
Maximum DC Blocking Voltage 最大直流阻断电压
VDC
50
100
200
400
600
800 1000
V
Maximum Average Forward Rectified Current @TA=70 ℃
I(AV)
2.5
A
最大正向平均整流电流
Peak Forward Surge Current, 8.3mS Single Half Sine-Wave,
Superimposed on Rated Load (JEDEC Method)
IFSM
90
A
8.3mS单一正弦半波叠加在额定负载上的浪涌能力（JEDEC方法）
I2t Rating for Fusing (t<8.3mS) 熔断额定值 （t＜8.3mS)
I2t
33.6
A2s
Peak Forward Voltage at 2.5A DC (Note1)
VF
1.1
V
在2.5 A 电流下的正向峰值电压（备注1）
Maximum DC Reverse Current @TJ=25℃
at Rated DC Blocking Voltage @TJ=125℃
IR
在额定直流电压下的最大反向直流电流
Typical Junction Capacitance (Note 2) 典型结电容
CJ
5.0
μA
200
25
pF
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient
结到环境的典型热阻值
RθJA
30
℃/W
Operating Junction Temperature Range 结温工作范围
TJ
-55 to +150
℃
Storage Temperature Range 储存温度范围
TSTG
-55 to +150
℃
Notes: 1. 300uS pulse width, 2%duty cycle. 300uS脉宽，2%占空比。
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC. 在1MHz，4.0V条件下测试
3. The typical data above is for reference only . 典型值仅供参考。
RL25*G-A-99-00
Rev. 8, 19-Jul-2017
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