LD271L 查看數據表（PDF） - Siemens AG

零件编号

产品描述 (功能)

生产厂家

LD271L

GaAs Infrared Emitter

Siemens AG 

LD 271, LD 271 H

LD 271 L, LD 271 HL

Kennwerte (TA = 25 °C)

Characteristics

Bezeichnung

Description

Wellenlänge der Strahlung

Wavelength at peak emission

IF = 100 mA, tp = 20 ms

Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax

Spectral bandwidth at 50 % of Imax

IF = 100 mA

Abstrahlwinkel

Half angle

Aktive Chipfläche

Active chip area

Abmessungen der aktive Chipfläche

Dimensions of the active chip area

Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel

Distance chip front to lens top

Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von

90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω

Switching times, Ie from 10 % to 90 % and

from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω

Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz

Capacitance

Durchlaßspannung

Forward voltage

IF = 100 mA, tp = 20 ms

IF = 1 A, tp = 100 µs

Sperrstrom, VR = 5 V

Reverse current

Gesamtstrahlungsfluß

Total radiant flux

IF = 100 mA, tp = 20 ms

Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,

IF = 100 mA

Temperature coefficient of Ie or Φe,

IF = 100 mA

Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA

Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA

Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA

Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA

Symbol

Symbol

λpeak

∆λ

ϕ

A

L×B

L×W

H

tr, tf

Co

VF

VF

IR

Φe

TCI

TCV

TCλ

Semiconductor Group

3

Wert

Value

950

Einheit

Unit

nm

55

nm

± 25

0.25

0.5 × 0.5

4.0 ... 4.6

1

Grad

deg.

mm2

mm

mm

µs

40

pF

1.30 (≤ 1.5) V

1.90 (≤ 2.5) V

0.01 (≤ 1)

µA

18

mW

– 0.55

%/K

– 1.5

0.3

mV/K

nm/K

1997-11-01

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