BPX90F 查看數據表（PDF） - OSRAM GmbH

零件编号

产品描述 (功能)

生产厂家

BPX90F

Silicon Photodiode

OSRAM GmbH 

Grenzwerte

Maximum Ratings

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Symbol

Betriebs- und Lagertemperatur

Operating and storage temperature range

Top; Tstg

Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse

TS

entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s)

Soldering temperature in 2 mm distance from case

bottom (t ≤ 3 s)

Sperrspannung

VR

Reverse voltage

Verlustleistung, TA = 25 °C

Ptot

Total power dissipation

BPX 90, BPX 90 F

Wert

Value

– 40 … + 80

Einheit

Unit

°C

230

°C

32

V

100

mW

Kennwerte TA = 25 °C

Characteristics

Bezeichnung

Parameter

Symbol

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

BPX 90

BPX 90 F

Fotostrom

Photocurrent

VR = 5 V, Normlicht/standard light A,

T = 2856 K, EV = 1000 lx

VR = 5 V, λ = 950 nm, Ee = 1 mW/cm2

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit

Wavelength of max. sensitivity

IP

45 (≥ 32) –

µA

IP

–

λS max

830

26 (≥ 16) µA

950

nm

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

S = 10% von Smax

Spectral range of sensitivity

S = 10% of Smax

Bestrahlungsempfindliche Fläche

Radiant sensitive area

λ

400 … 1150 800 … 1150 nm

A

5.5

5.5

mm2

Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche L × B 1.75 × 3.15 1.75 × 3.15 mm × mm

Dimensions of radiant sensitive area

L×W

Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche H

0.5

0.5

mm

Distance chip front to case surface

Halbwinkel

Half angle

ϕ

± 60

± 60

Grad

deg.

2001-02-21

2

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