R6011END3 查看數據表（PDF） - ROHM Semiconductor

零件编号

产品描述 (功能)

生产厂家

R6011END3

Nch 600V 11A Power MOSFET

ROHM Semiconductor 

R6011END3

　　　　　　

　 　 　 　 　 　 　 　 Datasheet

lBody diode electrical characteristics (Source-Drain) (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

Conditions

Values

Unit

Min. Typ. Max.

Source current

Pulsed source current

IS*1

TC = 25℃

ISP*2

-

-

11

A

-

-

22

A

Source-Drain voltage

VSD*6 VGS = 0V, IS = 11A

-

- 1.5 V

Reverse recovery time

Reverse recovery charge

Peak reverse recovery current

trr*6

Qrr*6

IS = 11A

di/dt = 100A/μs

Irr*6

- 430 -

ns

- 4.5 - μC

-

22

-

A

　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　

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20180612 - Rev.001

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