RBQ10NS100AFH 查看數據表（PDF） - ROHM Semiconductor

零件编号

产品描述 (功能)

生产厂家

RBQ10NS100AFH

Schottky Barrier Diode

ROHM Semiconductor 

RBQ10NS100AFH

　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　　　　　　　　 Data sheet

●Electrical Characteristics

Parameter

Forward voltage(1)

Reverse current(1)

Note (1) Value per diode

(Tj=25ºC unless otherwise specified)

Symbol

Conditions

VF

IF=5A

IR

VR=100V

Min. Typ. Max. Unit

- - 0.77 V

- - 80 μA

●Thermal Characteristics 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　

Parameter

Symbol Min. Typ. Max. Unit

Thermal Resistance (Junction to case)(1) (2)

Per diode

Per device

RθJC

-

-

- 2.1 ℃/W

- 1.3 ℃/W

Thermal Resistance (Junction to ambient)(1) (3)

Notes (1) Value is guaranteed by design.

　

RθJA

-

- 55 ℃/W

(2) Transient dual interface measurement (TDIM) method.

(3) Mounted on 50 x 50 x 1.6mm FR4 board，single-sided copper，35μm thickness，reference footprint.

●Characteristic Curves

　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　　　　　　　　　　　　　　　

www.rohm.com

© 2018- ROHMCo., Ltd.All rights reserved.

2/6

2019/05/27_Rev.002

Share Link: