B5817W 查看數據表（PDF） - Galaxy Semi-Conductor
零件编号
产品描述 (功能)
生产厂家
B5817W Datasheet PDF : 4 Pages
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BL Galaxy Electrical
Production specification
Schottky Barrier Diode
B5817W-B5819W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified
Parameter
Symbol Test Condition
MIN
Reverse breakdown voltage
V(BR)
IR=1mA
B5817W 20
B5818W 30
B5819W 40
Reverse voltage leakage current IR
VR=20V
VR=30V
VR=40V
B5817W
B5818W
B5819W
B5817W
IF=1A
IF=3A
Forward voltage
Diode capacitance
B5818W
VF
IF=1A
IF=3A
B5819W
IF=1A
IF=3A
CD
VR=4V,f=1MHz
MAX UNIT
V
1
mA
0.45
0.75
0.55
V
0.875
0.6
0.9
120
pF
TYPICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified
Document number: BL/SSSKA006
Rev.A
www.galaxycn.com
2
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