2SC1623 查看數據表（PDF） - Unspecified
零件编号
产品描述 (功能)
生产厂家
2SC1623 Datasheet PDF : 3 Pages
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SLS SEMICONDUCTOR (SHENZHEN) CO.,LTD.
SOT-23 封装半导体晶体管/SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
2SC1623 ( NPN )
特点/Features：
1、hFE 高，hFE=200(TYP) VCE=6V,IC=1mA;
2、高电压，VCEO=50V;
用途/Applications：
用于一般音频放大，与 2SA812 互补。
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数/Parameter
集电极-基极电压/Collector-Base Voltage
集电极-发射极电压/Collector-Emitter Voltage
发射极-基极电压/Emitter-Base Voltage
集电极连续电流/Collector Current Continuous
集电极耗散功率/Collector Power Dissipation
结温/Junction Temperature
储存温度/Storage Temperature
符号/ Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
数值/Value
60
50
5
0.1
0.2
150
-55～150
单位/Unit
V
V
V
A
W
℃
℃
电性能参数/Electrical characteristics (Ta=25℃)
参数
集电极-基极击穿电压
集电极-发射极击穿电压
发射极-基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极-发射极饱和压降
基极-发射极饱和压降
特征频率
符号
VBR(CBO)
VBR(CEO)
VBR(EBO)
ICBO
IEBO
hFE
VCE(sat)
VBE(sat)
fT
测试条件
IC=100μA,IE=0
IC=1mA,IB=0
IE=100μA,IC=0
VCB=60V,IE=0
VEB=5V,IC=0
VCE=6V,IC=1mA
IC=100mA,IB=10mA
IC=100mA,IB=5mA
VCE=6V,IC=10mA
最小值 典型值 最大值 单位
60
V
50
V
5
V
0.1 μA
0.1 μA
90 200 600
0.3 V
1
V
250
MHz
印章/Marking &hFE 分档/Classification of hFE
范围/Range
印章/Marking
90～180
L4
135～270
L5
200～400
L6
300～600
L7
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